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国际首次研发出低膨胀易成型光敏超支化聚芳酯介电材料，热膨胀系数从60降低至30 ppm/℃，耐温性从300提高到380℃，成膜温度从220降低至180℃。在先进封装领域，本项目绝对优势范围是重布线层＞3的领域，市场占比65%左右（未来将增加到90%以上）；与颠覆对象优势相当范围是重布线层=3的领域，占比30%左右；不如颠覆对象的范围是重布线层＜3的领域，占比不足5%。本项目突破先进封装介电材料热膨胀系数高、热应力大、耐温性差、成膜温度高等难题，引领全球先进封装技术升级，带动集成电路封装产业跨越发展，实现我国先进封装介电材料换道超车，打破国际技术垄断。水平国际领先。